SiC 수평형 전력반도체 소자 및 IC 제작 구매
한국전기연구원 · 경남
- 입찰 마감: 2026.11.13 11:00
- 추정가격: 10,000만원
- 게시일: 2026.11.12
- 업종: 물품
참가자격
수의계약 · 전자시담 · 공동수급불허 · 참가자격 등록 마감 2026-11-12 18:00 · 낙찰 수의시담 (세부 자격은 공고문 확인)
공고 내용
구매 사양서 [SiC 수평형 전력반도체 소자 및 IC 제작 구매] 2026. 10 차세대반도체연구센터 한국전기연구원 I. 품명 SiC 수평형 전력반도체 소자 및 IC 제작 구매 II. 구매 사양 용도 본 부품은 “차세대 소재 적용 고출력 전력반도체 개발(세부1)” 연구 과제 중, 고출력 전력반도체 적용을 위한 SiC 수평형 전력반도체 소자 및 CMOS IC 제작 구매에 적용된다. SiC 소재 기반 수평형 고전압 전력반도체 소자 및 CMOS IC 제작을 위해서는 반도체 소자의 직접 설계를 통해 도면화(Layout)가 완료된 수평형 고전압 전력반도체 소자 및 CMOS IC를 웨이퍼에 전사하여 제작하여야 한다. 이를 위해서는 반도체 foundry 회사에서 제공하는 기본 공정 process를 기반으로 완성 소자 제작을 수행해야 한다. 소자의 형태 및 구조는 차세대반도체연구센터에서 직접 설계한 구조를 이용하며, 이후 제작 사항에 대한 부분은 foundry 업체가 기보유한 기술, 장비를 통하여 제작한다. 본 제작에서는 본 과제의 목표인 역방향 항복전압 1.2㎸급 SiC lateral MOSFET 및 CMOS MOSFET, CMOS Analog, Dgital IC를 제작…